Для замены деталей часто приходится подбирать аналог, так как не всегда удаётся найти в продаже "родные" элементы.
Для этого обычно скачивают даташит (datasheet) и смотрят характеристики, по которым и подбирают аналог.
Так как детали все импортные, то и документация тоже. Ниже размещаю перевод и обозначения характеристи радиодеталей:
VRRM Повторяющееся импульсное обратное напряжение Repetitive peak reverse voltage
VDRM Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии Repetitive peak off-state voltage
VCES Напряжение коллектор-эмиттер Maximum permissible collector voltage
VCEsat Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Collector-emitter saturation voltage
VBR Напряжение лавинообразования Avalache break-down voltage
VFM Импульсное прямое напряжение Peak forward voltage
VTM Импульсное напряжение в открытом состоянии Peak on-state voltage
VTO Пороговое напряжение диода Threshold voltage diodes
VT(TO) Пороговое напряжение тиристора On-state threshold voltage thyristor
VGT Отпирающее постоянное напряжение управления Gate trigger direct voltage
VRGM Обратное импульсное напряжение управления Peak reverse gate voltage
IRRM Повторяющийся импульсный обратный ток Repetitive peak reverse current
IDRM Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии Repetitive peak off-state current
ITМ Импульсный ток в открытом состоянии Peak on-state current
IT(AV) Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии Max. average on-state current
ITRMS Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии Max. RMS on-state current
IF(AV) Максимально допустимый средний прямой ток Max. average forward current
IFM Импульсный прямой ток Peak forward current
IFRMS Максимально допустимый действующий прямой ток Max. RMS forward current
IC Постоянный ток коллектора DC collector current
ICM Импульсный ток коллектора Peak collector current
IFGM Прямой импульсный ток управления Peak forvard gate current
ITQRM Максимально допустимый повторяющийся запираемый ток Max. repetitive turn-off current
IFSM Ударный прямой ток Surge forward current
ITSM Ударный ток в открытом состоянии Surge on-state current
IGT Отпирающий постоянный ток управления Gate trigger current
IG(ON) Минимальный поддерживающий ток управления Min. on-state gate current
IGQM Запирающий импульсный ток управления Peak gate turn-off current
IRM Импульсный обратный ток
TC Температура корпуса Case temperature
Tj max Максимально допустимая температура перехода Maximum permissible junction temperature
rT Динамическое сопротивление On-state slope resistance
PRSM Ударная обратная рассеиваемая мощность Max. surge avalanche power dissipation
trr Время обратного восстановления Reverse recovery time
tgt Время включения (для тиристоров) Turn-on time
ton Время включения (для IGBT) Turn-on time
toff Время выключения (для IGBT) Turn-off time
tq Время выключения (для тиристоров) Turn-off time
tgq Время выключения по управляющему электроду (для GTO) Gate controlled turn-of time
ts Время задержки выключения Storage time
tf Время спада Fall time
(dvD/dt)crit Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии Critical rate of rise of off-state voltage
(dvD/dt)com Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения Critical rate of rise of commutating voltage
(diТ/dt)crit Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии Critical rate of rise of on-state current
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус Thermal resistance junction to case
Md Крутящий момент Mounting torque
F Усилие сжатия Mounting force
Visol Напряжение пробоя изоляции между выводами и основанием (эффективное значение) Insulation test voltage (r.m.s.)
w Масса Weigt
Vcf Скорость потока охлаждающего воздуха Velocity of air colling flow
Q Расход охлаждающей воды Consumption of cooling water
